Четверг, 12.12.2024
Мой сайт
Меню сайта
Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Форма входа
Работа


работа в сети
работа в сети
работа в сети
Новости мира ИТ - "Четвёртый элемент"


Научные работники исследовательского центра HP Labs
под руководством Стенли Уильямса (R. Stanley Williams) доказали существование четвертого элемента электрической цепи.

Мемристор (англ. memory-память и resistor-сопротивление) является четвертым фундаментальным элементом электротехнической схемы, наряду с резистором, индуктивностью и емкостью, причем его свойства не могут быть продублированы ни одной из комбинаций этих трех элементов. Леон Чуа (Leon Chua), профессор университета в Беркли, предсказал его существование "на кончике пера" ещё в 1971 году, опубликовав в журнале "IEEE Transactions on Circuit Theory" теоретические выкладки о существовании еще одного пассивного элемента электронных схем. И вот теперь, в наши дни, Уильямс с тремя коллегами, опубликовали в "Nature" математическую модель и физический пример мемристора, который имеет свойство сохранять историю информации, которую он получил.

Мемристор состоит из тонкого слоя диоксида титана, расположенного между двумя платиновыми электродами. Под действием приложенного напряжения происходит изменение кристаллической структуры диоксида титана. Это изменение приводит к увеличению сопротивления элемента в тысячи раз, причем при отключении источника тока элемент сохраняет изменения, возникшие при протекании через него заряда.

Приведенная математическая модель физики мемристора позволит разработчикам создавать интегральные схемы, которые значительно повысят производительность и энергоэффективность вычислительной техники, используя свойства мемристора для создания элементов памяти нового типа, которые, в отличие от сегодняшних DRAM, не будут терять информацию при снятии напряжения. Компьютер с мемристорами будет сохранять информацию после выключения питания и не потребует процесса загрузки, экономя при этом, как энергию, так и время, требуемое на загрузку системы.

Действующий прототип мемристора, разработанный в HP Labs, способен вместить 100 Гбит информации на одной полупроводниковой пластине, что в 6 с лишним раз превышает возможности технологии микросхем флэш-памяти (16 Гбит). И это не предел - разработчики считают, что размеры элемента можно существенно уменьшить.


AVP News. © 2008

Поиск
Календарь
«  Декабрь 2024  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031
Друзья сайта
  • Создать сайт
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz
  • Все проекты компании
  • Отдых


    Ваш IP–адрес


    Copyright MyCorp © 2024
    Создать бесплатный сайт с uCoz